Nexperia USA Inc. - PMDPB30XN,115

KEY Part #: K6524855

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品番:
PMDPB30XN,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMDPB30XN,115 製品の属性

品番 : PMDPB30XN,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21.7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 10V
パワー-最大 : 490mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-HUSON-EP (2x2)