説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
21.7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
660pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-HUSON-EP (2x2)