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- 品番:
- SI5915BDC-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5915BDC-T1-GE3 electronic components. SI5915BDC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5915BDC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5915BDC-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI5915BDC-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
420pF @ 4V
パワー-最大 :
3.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
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