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- 品番:
- PMGD400UN,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMGD400UN,115 electronic components. PMGD400UN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMGD400UN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMGD400UN,115 製品の属性
品番 :
PMGD400UN,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
710mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
480 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.89nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
43pF @ 25V
パワー-最大 :
410mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSSOP
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