SIZ300DT-T1-GE3 価格設定（USD） [187431個在庫]
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- 品番:
- SIZ300DT-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ300DT-T1-GE3 electronic components. SIZ300DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ300DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ300DT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZ300DT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A, 28A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
24 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
400pF @ 15V
パワー-最大 :
16.7W, 31W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PowerPair®
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