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- 品番:
- PMGD8000LN,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PMGD8000LN,115 electronic components. PMGD8000LN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMGD8000LN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMGD8000LN,115 製品の属性
品番 :
PMGD8000LN,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
125mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.35nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
18.5pF @ 5V
パワー-最大 :
200mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSSOP
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