Microsemi Corporation - APTMC60TL11CT3AG

KEY Part #: K6523767

APTMC60TL11CT3AG 価格設定（USD） [4055個在庫]

100 pcs$97.63581

品番:: APTMC60TL11CT3AG

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTMC60TL11CT3AG electronic components. APTMC60TL11CT3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC60TL11CT3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTMC60TL11CT3AG 製品の属性

品番 : APTMC60TL11CT3AG

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : 4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET機能 : Silicon Carbide (SiC)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V (1.2kV)

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 28A (Tc)

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 1mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 49nC @ 20V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 950pF @ 1000V

パワー-最大 : 125W

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : SP3

サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

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