SQJB80EP-T1_GE3 価格設定（USD） [164478個在庫]
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- 品番:
- SQJB80EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJB80EP-T1_GE3 electronic components. SQJB80EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB80EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJB80EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJB80EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
32nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1400pF @ 25V
パワー-最大 :
48W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
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