SIA914ADJ-T1-GE3 価格設定（USD） [4052個在庫]
- 3,000 pcs$0.08092
- 品番:
- SIA914ADJ-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA914ADJ-T1-GE3 electronic components. SIA914ADJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA914ADJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA914ADJ-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIA914ADJ-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
43 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12.5nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
470pF @ 10V
パワー-最大 :
7.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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