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ON Semiconductor - FDMC8200S_F106

KEY Part #: K6523765

[4664個在庫]

    品番:
    FDMC8200S_F106
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDMC8200S_F106 electronic components. FDMC8200S_F106 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC8200S_F106, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDMC8200S_F106 製品の属性

    品番 : FDMC8200S_F106
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A, 8.5A
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 10nC @ 10V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 660pF @ 15V
    パワー-最大 : 700mW, 1W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-Power33 (3x3)

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