SIZ914DT-T1-GE3 価格設定（USD） [4062個在庫]
- 3,000 pcs$0.32508
- 品番:
- SIZ914DT-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 electronic components. SIZ914DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ914DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ914DT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZ914DT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16A, 40A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1208pF @ 15V
パワー-最大 :
22.7W, 100W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PowerPair®
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO8804L
- NTMFD4C85NT3G
- IRF7341QTRPBF
- AOD604
- SI7964DP-T1-E3
- AO4805L_101
- ECH8654-TL-HQ
- EMH2417R-TL-H
- SIZ914DT-T1-GE3
- VQ2001P-2
- VQ1006P-2
- FDMC8200S_F106
- APTMC60TL11CT3AG
- SIA914ADJ-T1-GE3
- AON6974
- SI7925DN-T1-E3
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI4830ADY-T1-GE3
- SI4544DY-T1-GE3
- SIA950DJ-T1-GE3
- SI4511DY-T1-GE3
- BSL214NL6327HTSA1
- IRF8513TRPBF
- BSD223P L6327
- SI7842DP-T1-GE3
- NTLJD2104PTAG
- NTJD4001NT2G
- NTLJD3115PTAG
- ZXMN3A06N8TA
- ZXMN3A06DN8TC
- IRF7101PBF
- IRF5852TR
- NDS9956A
- STS9D8NH3LL
- AUIRF7103QTR
- SQJB80EP-T1_GE3
- SQJ968EP-T1_GE3
- BSC0924NDIATMA1
- SIZ300DT-T1-GE3
- BSL214NH6327XTSA1