Infineon Technologies - BSL214NH6327XTSA1

KEY Part #: K6525478

BSL214NH6327XTSA1 価格設定(USD) [487572個在庫]

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品番:
BSL214NH6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL214NH6327XTSA1 製品の属性

品番 : BSL214NH6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate, 2.5V Drive
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 3.7µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.8nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 143pF @ 10V
パワー-最大 : 500mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSOP-6-6

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