Infineon Technologies - IRF7341QTRPBF

KEY Part #: K6523519

[4137個在庫]


    品番:
    IRF7341QTRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7341QTRPBF 製品の属性

    品番 : IRF7341QTRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.1A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 5.1A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 44nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 780pF @ 25V
    パワー-最大 : 2.4W
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

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