DMN2050LFDB-7 価格設定（USD） [3683個在庫]
- 3,000 pcs$0.06281
- 品番:
- DMN2050LFDB-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2050LFDB-7 electronic components. DMN2050LFDB-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2050LFDB-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2050LFDB-7 製品の属性
品番 :
DMN2050LFDB-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
389pF @ 10V
パワー-最大 :
730mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6 (Type B)
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