HUFA76407DK8T-F085 価格設定（USD） [128988個在庫]
- 1 pcs$0.28675
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HUFA76407DK8T-F085 electronic components. HUFA76407DK8T-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUFA76407DK8T-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HUFA76407DK8T-F085 製品の属性
品番 :
HUFA76407DK8T-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
330pF @ 25V
パワー-最大 :
2.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FS45MR12W1M1B11BOMA1
- AO3415B
- FW216A-TL-2WX
- NTUD3129PT5G
- STS4DNF30L
- AO8804_100
- MCH6602-TL-E
- TMC1420-LA
- ECH8653-S-TL-H
- AON6910A
- AOC2802
- FW907-TL-E
- SI5915DC-T1-GE3
- SI4804BDY-T1-GE3
- SI4276DY-T1-GE3
- SI1563DH-T1-GE3
- BSD840N L6327
- BSL316CL6327HTSA1
- CSD75205W1015
- NTLJD3183CZTBG
- SI7540DP-T1-GE3
- SIA513DJ-T1-GE3
- SI3850ADV-T1-E3
- HUFA76413DK8T
- NTJD2152PT2G
- HUFA76504DK8T
- FDW2512NZ
- MMDF2N02ER2G
- IRF7104PBF
- SP8M9TB
- SP8M3TB
- IRF7503TR
- SP8J66TB1
- BSG0813NDIATMA1
- AUIRF7341QTR
- BUK9K6R2-40E,115
- BUK7K13-60EX
- QS8J5TR
- SI1539CDL-T1-GE3
- SSM6N15AFE,LM