[3747個在庫]
- 品番:
- NTMD6N03R2
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMD6N03R2 electronic components. NTMD6N03R2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMD6N03R2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMD6N03R2 製品の属性
品番 :
NTMD6N03R2
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
950pF @ 24V
パワー-最大 :
1.29W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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