SP8K31TB1 価格設定（USD） [186073個在庫]
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- 品番:
- SP8K31TB1
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SP8K31TB1 electronic components. SP8K31TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8K31TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SP8K31TB1 製品の属性
品番 :
SP8K31TB1
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.2nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
250pF @ 10V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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