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- 品番:
- SI7501DN-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3 electronic components. SI7501DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7501DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7501DN-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI7501DN-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel, Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.4A, 4.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.6W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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