BSG0813NDIATMA1 価格設定（USD） [91750個在庫]
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- 品番:
- BSG0813NDIATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 競争上の優位性:
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BSG0813NDIATMA1 製品の属性
品番 :
BSG0813NDIATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
19A, 33A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 12V
パワー-最大 :
2.5W
動作温度 :
-55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TISON-8
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