[3792個在庫]
- 品番:
- ZXMN6A11DN8TC
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC electronic components. ZXMN6A11DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A11DN8TC 製品の属性
品番 :
ZXMN6A11DN8TC
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
330pF @ 40V
パワー-最大 :
1.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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