BSG0811NDATMA1 価格設定（USD） [89957個在庫]
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- 品番:
- BSG0811NDATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSG0811NDATMA1 electronic components. BSG0811NDATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSG0811NDATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSG0811NDATMA1 製品の属性
品番 :
BSG0811NDATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
19A, 41A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 12V
パワー-最大 :
2.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TISON-8
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