Infineon Technologies - IRF6723M2DTRPBF

KEY Part #: K6524119

[3939個在庫]


    品番:
    IRF6723M2DTRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRF6723M2DTRPBF electronic components. IRF6723M2DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6723M2DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF6723M2DTRPBF 製品の属性

    品番 : IRF6723M2DTRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 15A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.6 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.35V @ 25µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 4.5V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1380pF @ 15V
    パワー-最大 : 2.7W
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric MA
    サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET™ MA

    あなたも興味があるかもしれません