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ON Semiconductor - NTMD6601NR2G

KEY Part #: K6523490

[4147個在庫]

    品番:
    NTMD6601NR2G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTMD6601NR2G electronic components. NTMD6601NR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMD6601NR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMD6601NR2G 製品の属性

    品番 : NTMD6601NR2G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.1A
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 215 mOhm @ 2.2A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 15nC @ 10V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 400pF @ 25V
    パワー-最大 : 600mW
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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