Vishay Siliconix - SI5513CDC-T1-GE3

KEY Part #: K6525445

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品番:
SI5513CDC-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5513CDC-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI5513CDC-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A, 3.7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.2nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 285pF @ 10V
パワー-最大 : 3.1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : 1206-8 ChipFET™

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