Vishay Siliconix - SI1965DH-T1-GE3

KEY Part #: K6525468

SI1965DH-T1-GE3 価格設定(USD) [471021個在庫]

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品番:
SI1965DH-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1965DH-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI1965DH-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4.2nC @ 8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 120pF @ 6V
パワー-最大 : 1.25W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-70-6 (SOT-363)

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