SQ1912AEEH-T1_GE3 価格設定（USD） [485597個在庫]
- 1 pcs$0.07617
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ1912AEEH-T1_GE3 electronic components. SQ1912AEEH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1912AEEH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ1912AEEH-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQ1912AEEH-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
800mA (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.25nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
27pF @ 10V
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- SI1539DDL-T1-GE3
- NVMFD5489NLWFT3G
- AO4840L
- NTMD2C02R2SG
- NTMFD4C85NT1G
- AO6601_001
- AO4812_101
- IRFH4257DTRPBF
- PMDPB28UN,115
- JAN2N7335
- APTC90AM602G
- AUIRF7309Q
- IRFHM792TR2PBF
- SIZ910DT-T1-GE3
- ECH8662-TL-H
- SI7983DP-T1-GE3
- AO6810
- SP8K3FU6TB
- NTLUD3191PZTAG
- SI4226DY-T1-GE3
- APTM50DHM65TG
- APTM50AM70FT1G
- SI4913DY-T1-E3
- SI1912EDH-T1-E3
- FDR8308P
- BSO303PNTMA1
- ZXMD63C03XTC
- FDS4885C
- MMDF2N02ER2G
- IRF7317PBF
- IRF7306PBF
- SP8M9TB
- IRF7331TR
- SIZ900DT-T1-GE3
- FDS8960C
- BUK7K29-100EX
- IPG20N06S2L50AATMA1
- SQ9945BEY-T1_GE3
- QS6J11TR
- SIL2623-TP