IRF7379TRPBF 価格設定（USD） [246881個在庫]
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- 品番:
- IRF7379TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7379TRPBF electronic components. IRF7379TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7379TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7379TRPBF 製品の属性
品番 :
IRF7379TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.8A, 4.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
520pF @ 25V
パワー-最大 :
2.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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