Rohm Semiconductor - QS8M12TCR

KEY Part #: K6525414

QS8M12TCR 価格設定(USD) [299987個在庫]

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品番:
QS8M12TCR
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS8M12TCR 製品の属性

品番 : QS8M12TCR
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 42 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.4nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 250pF @ 10V
パワー-最大 : 1.5W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : TSMT8

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