Microsemi Corporation - APTM10HM09FTG

KEY Part #: K6524312

[3873個在庫]


    品番:
    APTM10HM09FTG
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM10HM09FTG electronic components. APTM10HM09FTG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10HM09FTG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM10HM09FTG 製品の属性

    品番 : APTM10HM09FTG
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 4 N-Channel (H-Bridge)
    FET機能 : Standard
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 139A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 2.5mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 350nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9875pF @ 25V
    パワー-最大 : 390W
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : SP4
    サプライヤーデバイスパッケージ : SP4

    あなたも興味があるかもしれません
    • FDY2001PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F.

    • FDY3001NZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F.

    • SI6925ADQ-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP.

    • SI6928DQ-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP.

    • IRF7507PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH DUAL 20V MICRO-8.

    • SI6993DQ-T1-E3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP.