ON Semiconductor - FDC3601N

KEY Part #: K6525442

FDC3601N 価格設定(USD) [375377個在庫]

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品番:
FDC3601N
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC3601N 製品の属性

品番 : FDC3601N
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 500 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 153pF @ 50V
パワー-最大 : 700mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6