SIZF906ADT-T1-GE3 価格設定（USD） [122423個在庫]
- 1 pcs$0.30213
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 electronic components. SIZF906ADT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZF906ADT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZF906ADT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZF906ADT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
49nC @ 10V, 200nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
パワー-最大 :
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PowerPair® (6x5)
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