Vishay Siliconix - SIZF906ADT-T1-GE3

KEY Part #: K6525192

SIZF906ADT-T1-GE3 価格設定(USD) [122423個在庫]

  • 1 pcs$0.30213

品番:
SIZF906ADT-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET DUAL N-CHAN 30V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZF906ADT-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIZF906ADT-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET DUAL N-CHAN 30V
シリーズ : TrenchFET® Gen IV
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
パワー-最大 : 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PowerPair® (6x5)

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