説明 :
20 V DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
600mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
21.3pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
6-XFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1010B-6