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- 品番:
- IRF7338PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7338PBF electronic components. IRF7338PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7338PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7338PBF 製品の属性
品番 :
IRF7338PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.3A, 3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
34 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
640pF @ 9V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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