Microsemi Corporation - APTM10DHM09T3G

KEY Part #: K6523797

[4045個在庫]


    品番:
    APTM10DHM09T3G
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G electronic components. APTM10DHM09T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10DHM09T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM10DHM09T3G 製品の属性

    品番 : APTM10DHM09T3G
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
    シリーズ : POWER MOS V®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    FET機能 : Standard
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 139A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 2.5mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 350nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9875pF @ 25V
    パワー-最大 : 390W
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Chassis Mount
    パッケージ/ケース : SP3
    サプライヤーデバイスパッケージ : SP3

    あなたも興味があるかもしれません