Infineon Technologies - BSL806NH6327XTSA1

KEY Part #: K6525473

BSL806NH6327XTSA1 価格設定(USD) [481993個在庫]

  • 1 pcs$0.07712
  • 3,000 pcs$0.07674

品番:
BSL806NH6327XTSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSL806NH6327XTSA1 electronic components. BSL806NH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSL806NH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSL806NH6327XTSA1 製品の属性

品番 : BSL806NH6327XTSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate, 1.8V Drive
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.3A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 750mV @ 11µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.7nC @ 2.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 259pF @ 10V
パワー-最大 : 500mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSOP-6-6

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3989EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP.

  • 2N6028G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027G

    ON Semiconductor

    TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRMG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRPG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027RL1G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.