BSC0921NDIATMA1 価格設定（USD） [133174個在庫]
- 1 pcs$0.27774
- 5,000 pcs$0.26663
- 品番:
- BSC0921NDIATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1 electronic components. BSC0921NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0921NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC0921NDIATMA1 製品の属性
品番 :
BSC0921NDIATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A, 31A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.9nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1025pF @ 15V
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TISON-8
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM85-02F
- AOC3870A
- BUK9MRR-65PKK,518
- FDS8958B_G
- NTUD3129PT5G
- AO4800L
- ECH8601M-C-TL-H
- APTM10DHM09T3G
- BSL806NL6327HTSA1
- AON7820
- AON6918
- EMH2408-TL-H
- AON7900
- SQ4946EY-T1-E3
- SI4562DY-T1-GE3
- IRF9358PBF
- FDD8426H
- APTM50DUM19G
- APTM10HM09FTG
- SI9926BDY-T1-E3
- SI4944DY-T1-E3
- SI3585DV-T1-E3
- SI1551DL-T1-E3
- FDZ2553N
- FDW2503N
- IRF7338PBF
- US5K3TR
- STS7C4F30L
- SI4539ADY-T1-E3
- SIZF906ADT-T1-GE3
- BSC0921NDIATMA1
- BUK9K30-80EX
- SH8K22TB1
- FDC3601N
- BSL205NH6327XTSA1
- BSL806NH6327XTSA1
- PMDXB600UNELZ
- SSM6N58NU,LF
- 2N7002PS,125
- 2N7002PSZ