[3963個在庫]
- 品番:
- SI4562DY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4562DY-T1-GE3 electronic components. SI4562DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4562DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4562DY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4562DY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
50nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO8804L
- NTMFD4C85NT3G
- IRF7341QTRPBF
- AOD604
- SI7964DP-T1-E3
- AO4805L_101
- ECH8654-TL-HQ
- EMH2417R-TL-H
- SIZ914DT-T1-GE3
- VQ2001P-2
- VQ1006P-2
- FDMC8200S_F106
- APTMC60TL11CT3AG
- SIA914ADJ-T1-GE3
- AON6974
- SI7925DN-T1-E3
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI4830ADY-T1-GE3
- SI4544DY-T1-GE3
- SIA950DJ-T1-GE3
- SI4511DY-T1-GE3
- BSL214NL6327HTSA1
- IRF8513TRPBF
- BSD223P L6327
- SI7842DP-T1-GE3
- NTLJD2104PTAG
- NTJD4001NT2G
- NTLJD3115PTAG
- ZXMN3A06N8TA
- ZXMN3A06DN8TC
- IRF7101PBF
- IRF5852TR
- NDS9956A
- STS9D8NH3LL
- AUIRF7103QTR
- SQJB80EP-T1_GE3
- SQJ968EP-T1_GE3
- BSC0924NDIATMA1
- SIZ300DT-T1-GE3
- BSL214NH6327XTSA1