[4156個在庫]
- 品番:
- SI4565ADY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4565ADY-T1-GE3 electronic components. SI4565ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4565ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4565ADY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4565ADY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.6A, 5.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
39 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
625pF @ 20V
パワー-最大 :
3.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM85-02F
- AOC3870A
- BUK9MRR-65PKK,518
- FDS8958B_G
- NTUD3129PT5G
- AO4800L
- ECH8601M-C-TL-H
- APTM10DHM09T3G
- BSL806NL6327HTSA1
- AON7820
- AON6918
- EMH2408-TL-H
- AON7900
- SQ4946EY-T1-E3
- SI4562DY-T1-GE3
- IRF9358PBF
- FDD8426H
- APTM50DUM19G
- APTM10HM09FTG
- SI9926BDY-T1-E3
- SI4944DY-T1-E3
- SI3585DV-T1-E3
- SI1551DL-T1-E3
- FDZ2553N
- FDW2503N
- IRF7338PBF
- US5K3TR
- STS7C4F30L
- SI4539ADY-T1-E3
- SIZF906ADT-T1-GE3
- BSC0921NDIATMA1
- BUK9K30-80EX
- SH8K22TB1
- FDC3601N
- BSL205NH6327XTSA1
- BSL806NH6327XTSA1
- PMDXB600UNELZ
- SSM6N58NU,LF
- 2N7002PS,125
- 2N7002PSZ