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- 品番:
- SI6562DQ-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI6562DQ-T1-GE3 electronic components. SI6562DQ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6562DQ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI6562DQ-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI6562DQ-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
600mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSSOP
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