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- 品番:
- SI1905BDH-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1905BDH-T1-E3 electronic components. SI1905BDH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1905BDH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1905BDH-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI1905BDH-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
630mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
62pF @ 4V
パワー-最大 :
357mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6 (SOT-363)
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