QS8K11TCR 価格設定（USD） [317720個在庫]
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- 品番:
- QS8K11TCR
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 4V DRIVE NCHNCH MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor QS8K11TCR electronic components. QS8K11TCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS8K11TCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
QS8K11TCR 製品の属性
品番 :
QS8K11TCR
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
4V DRIVE NCHNCH MOSFET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
-
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.3nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
180pF @ 10V
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSMT8
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