SI4501BDY-T1-GE3 価格設定（USD） [344842個在庫]
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- 2,500 pcs$0.10093
- 品番:
- SI4501BDY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4501BDY-T1-GE3 electronic components. SI4501BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4501BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4501BDY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4501BDY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel, Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V, 8V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A, 8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
805pF @ 15V
パワー-最大 :
4.5W, 3.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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