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- 品番:
- SIF912EDZ-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIF912EDZ-T1-E3 electronic components. SIF912EDZ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIF912EDZ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIF912EDZ-T1-E3 製品の属性
品番 :
SIF912EDZ-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.6W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 2x5
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® (2x5)
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