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- 品番:
- SIF912EDZ-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIF912EDZ-T1-E3 electronic components. SIF912EDZ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIF912EDZ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIF912EDZ-T1-E3 製品の属性
品番 :
SIF912EDZ-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.6W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 2x5
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® (2x5)
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