Infineon Technologies - IPG20N04S412AATMA1

KEY Part #: K6525326

IPG20N04S412AATMA1 価格設定(USD) [194417個在庫]

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品番:
IPG20N04S412AATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S412AATMA1 製品の属性

品番 : IPG20N04S412AATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 8TDSON
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 15µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1470pF @ 25V
パワー-最大 : 41W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-10

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