説明 :
MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1700V (1.7kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
325A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 225A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.3V @ 15mA (Typ)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1076nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
20000pF @ 1000V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)