AUIRF7342QTR 価格設定（USD） [106975個在庫]
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- 品番:
- AUIRF7342QTR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7342QTR electronic components. AUIRF7342QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7342QTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7342QTR 製品の属性
品番 :
AUIRF7342QTR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
690pF @ 25V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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