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- 品番:
- APTM120TDU57PG
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM120TDU57PG electronic components. APTM120TDU57PG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120TDU57PG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM120TDU57PG 製品の属性
品番 :
APTM120TDU57PG
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
187nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5155pF @ 25V
パワー-最大 :
390W
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SP6
サプライヤーデバイスパッケージ :
SP6-P
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