Infineon Technologies - IPG20N04S4L08AATMA1

KEY Part #: K6525271

IPG20N04S4L08AATMA1 価格設定(USD) [161546個在庫]

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品番:
IPG20N04S4L08AATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S4L08AATMA1 製品の属性

品番 : IPG20N04S4L08AATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 8TDSON
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 22µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 39nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3050pF @ 25V
パワー-最大 : 54W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-10