Nexperia USA Inc. - PHN203,518

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PHN203,518 価格設定(USD) [3711個在庫]

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品番:
PHN203,518
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHN203,518 製品の属性

品番 : PHN203,518
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14.6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 560pF @ 20V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

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