EPC - EPC2111ENGRT

KEY Part #: K6523256

EPC2111ENGRT 価格設定（USD） [60727個在庫]

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品番:: EPC2111ENGRT

メーカー:: EPC

詳細な説明:: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in EPC EPC2111ENGRT electronic components. EPC2111ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2111ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2111ENGRT 製品の属性

品番 : EPC2111ENGRT

メーカー : EPC

説明 : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 16A (Ta)

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 5mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V

パワー-最大 : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : Die

サプライヤーデバイスパッケージ : Die

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