Vishay Siliconix - SI4904DY-T1-E3

KEY Part #: K6523238

SI4904DY-T1-E3 価格設定(USD) [87467個在庫]

  • 1 pcs$0.44927
  • 2,500 pcs$0.44703

品番:
SI4904DY-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI4904DY-T1-E3 electronic components. SI4904DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4904DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4904DY-T1-E3 製品の属性

品番 : SI4904DY-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 85nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2390pF @ 20V
パワー-最大 : 3.25W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

あなたも興味があるかもしれません
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.